打線幾何與操作參數
垂直跨距 (l₀, Die 到 Package 最短距)
mm
0.5 mm
2.0 mm (標準)
5.0 mm
Pad 位置與角落角度 (θ)
°
0° (Die 中央)
25°
45° (Die 角落斜打)
斜射長: 2.00 mm
封裝端間距: 100 µm
Die 端 Pad 間距 (d₀)
µm
50 µm
100 µm (標準)
1000 µm
線徑規格 (Diameter)
1.0 mil (25.4 µm)
操作頻率 (f)
MHz
1 MHz
200 MHz
2000 MHz
瞬態電流變率 (dI/dt)
mA/ns
單線自感 (L)
2.03 nH
~1.01 nH/mm
相鄰互感 (M) / 耦合
1.19 nH
k = 0.58 (58.4%)
有效電感 (Leff)
抵消
0.84 nH
-58.6% vs 單線
噪訊 (VSSN)
Q = 8.2
84.2 mV
Z = 1.06 Ω (R_ac 0.13Ω)
3D 晶片封裝打線、磁場 (B) 與電流粒子 (I)
Die 中央 (0°)：垂直最短直打，互感抵消效果最佳
電流 (I)
右手安培磁場 (B)
滑鼠/觸控 360° 拖曳旋轉 & 滾輪縮放
頻率感抗分析 (1M ~ 2000MHz)
@ 200 MHz